| № | Наименование методики | Шифр методики, дата и номер свидетельства, организация, выдавшая Свидетельство |
| 1 | Шероховатость и топография поверхности. Методика выполнения измерений шероховатости и топографии поверхности на сканирующем зондовом микроскопе Ntegra prima Basic. | МВИ ШТП/08 Свидетельство №1-09 от 03.03.09 г. ФГУ ТИСНУМ |
| 2 | Коэффициент трещиностойкости К1с. Методика выполнения измерений коэффициента трещиностойкости на микротвердомере ПМТ-3М. | МВИ КТ/09 Свидетельство №2-09 от 03.03.09 г. ФГУ ТИСНУМ |
| 3 | Методика выполнения измерений шероховатости и топографии поверхности на оптическом профилометре. | МВИ ШТПОП/08 Свидетельство №3-09 от 27.07.10 г. ФГУ ТИСНУМ |
| 4 | МВИ «Определение механических свойств поверхности по данным нанотвердометрии и силовой спектроскопии с разрешением по оси Z при построении изображений (сканировании) поверхности и во время процедур нагружения – разгружения (не более 1 нм)». (для сканирующего зондового микроскопа с разрешением не более 1 нм). |
МВИ РСНТИДИ/09 Свидетельство №5-09 от 26.06.09 г. ФГУ ТИСНУМ |
| 5 | Методика выполнения измерений твердости методом измерительного динамического индентирования на СЗМ «НаноСкан-3Д». | МВИ ТИДИ/09 Свидетельство №1-10 от 24.06.10 г. ФГУ ТИСНУМ |
| 6 | Методика выполнения измерений модуля упругости и упругого восстановления методом измерительного динамического индентирования на СЗМ «НаноСкан 3Д». | МВИ МУВИДИ/09 Свидетельство №2-10 от 24.06.10 г. ФГУ ТИСНУМ |
| 7 | Методика выполнения измерений твердости по восстановленному отпечатку в нанометровом диапазоне на СЗМ «НаноСкан-3Д». | МВИ ТВОНМ/10 Свидетельство №3-10 от 24.06.10 г. ФГУ ТИСНУМ |
| № | Наименование методики |
| 8 | Определение линейных размеров образцов (в т.ч. монокристалла алмаза) |
| 9 | Определение массы образцов (в т.ч. монокристалла алмаза) |
| 10 | Определение микротвердости образцов (в т.ч. монокристалла алмаза) |
| 11 | Метод измерения шероховатости поверхности пластин |
| 12 | Определение концентрации примеси парамагнитного азота в монокристалле алмаза |
| 13 | Определение удельного электрического сопротивления монокристалла алмаза |
| 14 | Определение ширины пика КРС при 1332 см-1 на его полувысоте |
| 15 | Определение коэффициента поглощения в диапазоне от 240 нм до 25 мкм (исключая субдиапазон от 2 до 6,5 мкм) |
| 16 | Определение края поглощения в УФ диапазоне |
| 17 | Определение спектральной чувствительности, максимума спектральной чувствительности λ макс, токовой чувствительности при λ макс, спектрального диапазона чувствительности фотосопротивления |
| 18 | Определение угла между гранями пирамиды и осью пирамиды наноиндентора |
| 19 | Определение эффективного размера острия пирамиды наноиндентора |
| 20 | Определение шероховатости поверхностей граней пирамиды наноиндентора |
| 21 | Определение изгибной жесткости датчика-кантеливера |
| 22 | Определение максимального перемещения концевой точки датчика-кантеливера |
| 23 | Определение минимального разрешения по нагрузке датчика-кантеливера |
| 24 | Определение теплопроводности теплоотвода |
| 25 | Метод измерения толщины покрытия; Определение толщины CVD слоя |
| 26 | Определение концентрации примеси азота в CVD слое |
| 27 | Определение удельного электрического сопротивления CVD слоя |
| 28 | Метод измерения модуля упругости Е сверхтвердых режущих пластин |
| 29 | Определение предела прочности при изгибе сверхтвердых режущих пластин |
| 30 | Определение предела прочности при сжатии сверхтвердых режущих пластин |
| 31 | Определение относительной износостойкости сверхтвердых режущих пластин |
| 32 | Выполнения измерений линейных размеров элементов топологии микрорельефа поверхности твердотельных материалов |
| 33 | Измерений линейных размеров объектов в режиме изображения и межплоскостных расстояний в режиме дифракции |
| 34 | Определение наличия ростовых дефектов и глубины их расположения в монокристалле алмаза |